用显影剂-裁切的硬掩模形成光刻结构的方法

摘要

本发明涉及用显影剂-裁切的硬掩模形成光刻结构的方法，提供了新颖的可溶于显影剂的硬掩模组合物，以及使用该硬掩模组合物形成微电子结构的方法。该组合物包含位于溶剂体系中的下式所示的化合物用来控制显影速率的化合物，以及交联剂。所述方法包括将所述组合物施涂于基片上，使得所述组合物固化。将成像层施涂于所述组合物上，然后进行曝光和显影，在此过程中除去所述成像层的曝光部分，以及与所述曝光部分相邻的硬掩模组合物的部分。通过显影速率控制硬掩模组合物结构的尺寸，得到的特征尺寸是成像层特征尺寸的一部分，得到了可以最终转移到基片的图案。

主权项

一种微电子结构，该结构包括：具有表面的微电子基片,所述基片具有蚀刻速率;以及位于所述基片表面上、或者位于所述基片表面上的中间层上的T形结构,所述T形结构包括:直立的腿部，其包括具有蚀刻速率的硬掩模；所述腿部具有通过相背的垂直侧壁相连的上部部分和下部部分，所述垂直侧壁大体上与所述基片表面垂直,所述下部部分与所述基片表面或者中间层相接触;以及大体水平的区段，该区段包括光敏性成像层，具有以下特性:与所述上部部分相邻，或者与所述上部部分上的中间层相邻;并且大体上垂直于所述垂直侧壁，其中，所述直立的腿部具有在所述垂直侧壁之间测得的最大距离:宽度“W”，所述水平区段具有长度“L”，其为沿大体平行于“W”的平面的最大距离，"W"等于或小于“L”的80%；所述硬掩模蚀刻速率小于所述基片蚀刻速率的1/3，其中，所述硬掩膜是可溶于显影剂的。