发明名称 |
一种内嵌式触摸屏及显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种内嵌式触摸屏及显示装置,在阵列基板上设置多个同层且相互独立的自电容电极,触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置,并且,将位于顶栅型薄膜晶体管下方的遮挡层的图形进行变更形成多条导线,一方面形成的导线可以将自电容电极连接至触控侦测芯片,实现触控功能;另一方面形成的导线图形遮挡顶栅型薄膜晶体管的有源层图案,从而避免背光照射而产生光生载流子影响正常显示。由于将原有的顶栅型薄膜晶体管下方的遮挡层的图形进行变更形成与自电容电极对应的导线,相对于现有的增加两层膜层的制作工艺,仅需增加一层形成自电容电极的工艺即可实现触控功能,节省了生产成本,提高了生产效率。 |
申请公布号 |
CN104020892A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410239921.3 |
申请日期 |
2014.05.30 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
赵卫杰;董学;王海生;杨盛际;刘英明 |
分类号 |
G06F3/041(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/041(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种内嵌式触摸屏,包括具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板,其特征在于,还包括:设置于所述阵列基板的所述顶栅型薄膜晶体管所在膜层之上的多个同层设置且相互独立的自电容电极;在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片;以及,设置于所述阵列基板的所述顶栅型薄膜晶体管所在膜层之下,且用于将所述自电容电极连接至所述触控侦测芯片的多条导线;所述导线的图形在所述阵列基板上的正投影遮挡所述顶栅型薄膜晶体管的有源层图案。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |