利用非平面拓扑的反熔丝元件

摘要

本发明公开了用于提供非易失性反熔丝存储器元件和其它反熔丝链路的技术。在一些实施例中，反熔丝存储器元件配置有诸如FinFET拓扑的非平面拓扑。在一些这样的实施例中，鳍状物拓扑可以被操控并且用于通过创建适合于在较低电压非易失性反熔丝存储器元件中使用的增强型发射位置来有效地提升较低击穿电压晶体管。在一个示例实施例中，提供一种半导体反熔丝设备，其包括具有配置有锥形部分的鳍状物的非平面扩散区域、位于包括所述锥形部分的所述鳍状物上的介电隔离层以及位于所述介电隔离层上的栅极材料。所述鳍状物的所述锥形部分可以例如通过氧化、蚀刻和/或烧蚀来形成，并且在一些情况中包括基区和变薄区，并且变薄区比基区薄至少50％。

主权项

一种半导体反熔丝设备，包括：具有配置有锥形部分的鳍状物的非平面扩散区域；位于包括所述锥形部分的所述鳍状物上的介电隔离层；以及位于所述介电隔离层上的栅极材料。