发明名称 |
多孔奈米结构之制作方法 |
摘要 |
一种多孔奈米结构之制作方法,系藉由在一半导体基材上进行一溅镀制程,以形成一金属奈米网格阵列。之后,再对上述之半导体基材与金属奈米网格阵列进行一乾蚀刻制程,以在半导体基材上形成一多孔奈米结构。利用此种制作方法,仅需两道制程步骤,即可完成高性能之抗反射多孔矽奈米仿生结构的制作,相较于知,可有效兼具减少繁琐制程步骤以及具备高抗反射性之优点。 |
申请公布号 |
TWI450853 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
申请号 |
TW100136611 |
申请日期 |
2011.10.07 |
申请人 |
国立交通大学 新竹市大学路1001号 |
发明人 |
张原铭;庄振益 |
分类号 |
B82B3/00;H01L21/3065 |
主分类号 |
B82B3/00 |
代理机构 |
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代理人 |
林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1 |
主权项 |
一种多孔奈米结构之制作方法,包括以下步骤:在一半导体基材上进行一溅镀制程,以形成一金属奈米网格阵列;以及对该金属奈米网格阵列与该半导体基材进行一乾蚀刻制程,使该半导体基材上形成一抗反射之多孔奈米结构。 |
地址 |
新竹市大学路1001号 |