发明名称 多孔奈米结构之制作方法
摘要 一种多孔奈米结构之制作方法,系藉由在一半导体基材上进行一溅镀制程,以形成一金属奈米网格阵列。之后,再对上述之半导体基材与金属奈米网格阵列进行一乾蚀刻制程,以在半导体基材上形成一多孔奈米结构。利用此种制作方法,仅需两道制程步骤,即可完成高性能之抗反射多孔矽奈米仿生结构的制作,相较于知,可有效兼具减少繁琐制程步骤以及具备高抗反射性之优点。
申请公布号 TWI450853 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW100136611 申请日期 2011.10.07
申请人 国立交通大学 新竹市大学路1001号 发明人 张原铭;庄振益
分类号 B82B3/00;H01L21/3065 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 一种多孔奈米结构之制作方法,包括以下步骤:在一半导体基材上进行一溅镀制程,以形成一金属奈米网格阵列;以及对该金属奈米网格阵列与该半导体基材进行一乾蚀刻制程,使该半导体基材上形成一抗反射之多孔奈米结构。
地址 新竹市大学路1001号