静态随机存取记忆体单元结构以及静态随机存取记忆体单元布局结构;STATIC RANDOM ACCESS MEMORY UNIT CELL STRUCTURE AND STATIC RANDOM ACCESS MEMORY UNIT CELL LAYOUT STRUCTURE

摘要

本发明揭示一种静态随机存取记忆体单元布局结构,其中长形接触窗跨置于二个主动区。另揭示一种静态随机存取记忆体单元结构及其制法,其中使长形接触窗跨置于下拉电晶体与上拉电晶体的汲极上,第零层金属连线跨置于长形接触窗上与另一上拉电晶体的闸极线上。如此,已无纵向与横向的第零层金属连线相交处,不会有基底同一处遭受二次蚀刻制程的腐蚀情形,可避免侵蚀的钉入区太深而引起接面漏电流的情形。