Ｇe－Ｓb－Ｔe膜的成膜方法、Ｇe－Ｔe膜的成膜方法、Ｓb－Ｔe膜的成膜方法及记忆媒体

摘要

本发明提供一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包含Sb原料导入工序、第1吹净工序、Te原料导入工序、第2吹净工序、Ge原料导入工序及第3吹净工序，其中，在该原料导入工序及吹净工序的至少1工序中，系导入包含有氨气、甲基胺、二甲基胺、联胺、单甲基联胺、二甲基联胺及吡啶的1者或2者以上之添加气体。

主权项

一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包含以下工序：Sb原料导入工序，系导入为(R2O)3Sb(式中，R2为碳数1~10之直链状、分枝链状、环状的烷基或芳香族基)之Sb原料；第1吹净工序，系在该Sb原料导入工序之后以非活性气体来吹净；Te原料导入工序，系在该第1吹净工序之后，导入为(R3R4R5Si)2Te或(R3R4R5Si)TeR6(式中，R3、R4、R5及R6系可分别独立地具有氢、碳数1~10之直链状、分枝链状、环状的双键之烷基或芳香族基)之Te原料；第2吹净工序，系在该Te原料导入工序之后以非活性气体来吹净；Ge原料导入工序，系导入为(R1O)4Ge或(R1O)nGeH4-n(式中，R1为碳数1~10之直链状、分枝链状、环状的烷基或芳香族基，n=1~3)之Ge原料；以及第3吹净工序，系在该Ge原料导入工序之后以非活性气体来吹净；其中，该原料导入工序及吹净工序的至少1工序中，系导入包含有氨气、甲基胺、二甲基胺、联胺、单甲基联胺、二甲基联胺及吡啶的1者或2者以上之添加气体。