| 发明名称 |
半导体元件与其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明揭露半导体元件与其形成方法。在一实施例中,半导体元件的形成方法包括提供工件,工件包括导电结构形成于第一绝缘材料中,以及第二绝缘材料位于第一绝缘材料上。第二绝缘材料具有开口于导电结构上。上述方法包括形成石墨烯为主的导电层于第二绝缘材料的开口中的导电结构露出的上表面上,以及形成碳为主的黏着层于第二绝缘材料中的开口的侧壁上。碳奈米管系形成于图案化之第二绝缘材料中的石墨烯为主的导电层及碳为主的黏着层上。 |
| 申请公布号 |
TW201434080 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
| 申请号 |
TW102146355 |
申请日期 |
2013.12.16 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
杨士亿;李明翰;李香寰;吴宪昌 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
