Verfahren und Struktur zum Bilden von On-Chip-Kondensatoren hoher Qualität mit ETSOI-Transistoren

摘要

Ein ETSOI-Transistor und ein Kondensator werden in einer Transistor- bzw. einer Kondensatorzone durch Ätzen durch eine ETSOI-Schicht und eine dünne BOX-Schicht in einem Ersatz-Gate-HK/MG-Ablauf gebildet. Die Bildung des Kondensators ist mit einem ETSOI-Ersatz-Gate-CMOS-Ablauf kompatibel. Eine Kondensatorelektrode mit niedrigem Widerstand macht es möglich, einen Kondensator oder Varaktor hoher Qualität zu erhalten. Das Fehlen einer Topographie während des Strukturierens des Platzhalter-Gates wird durch Lithographie in Kombination mit einem geeigneten Ätzen ermöglicht.