| 发明名称 | 制造半导体微或纳米线的方法、包括所述微或纳米线的半导体结构和制造半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造用于形成光电结构(10)的至少一个半导体微或纳米线的方法。所述方法包括如此步骤，提供半导体衬底(100)、在所述衬底(100)上形成晶态的所谓缓冲层(110)，所述缓冲层(110)在部分厚度上具有主要由Mg<sub>x</sub>N<sub>y</sub>形式的氮化镁构成的第一区(110)，所述方法还包括在所述缓冲层上形成至少一个半导体微或纳米线(150)的步骤。本发明还涉及包括微或纳米线(150)的光电结构(10)，以及能够制造所述结构(10)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104011883A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201280063612.4 | 申请日期 | 2012.12.19 |
| 申请人 | 法国原子能及替代能源委员会 | 发明人 | 阿梅利耶·迪赛涅;菲利普·吉莱;弗朗索瓦·马丁 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/12(2006.01)I;H01L33/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 用于形成光电结构(10)的至少一个半导体微或纳米线(150)的制造方法，其中，所述制造方法包括以下步骤：提供包括第一和第二面(100a,b)的半导体衬底(100)；在所述衬底(100)的所述第一面(100a)上形成称为缓冲层的晶态层，所述缓冲层(110)在至少部分厚度上具有与所述第二面(110a)相接触的第一区(110，111)，所述第一区(110，111)主要由Mg<sub>x</sub>N<sub>y</sub>形式的氮化镁构成；在所述缓冲层(110)上形成所述至少一个半导体微或纳米线(150)，所述微或纳米线(150)的至少一个部分(151)称为接触部分，主要由直接带隙半导体氮化物构成，所述部分(151)是所述微或纳米线(150)的与所述缓冲层(110)接触的部分。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||