| 发明名称 | 异质结结构及其制备方法、异质结场效应管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结结构及其制备方法、异质结场效应管及其制备方法，其中，所述异质结结构包括：缓冲层，所述缓冲层的材料为半绝缘的半导体材料，位于缓冲层上的沟道层，所述沟道层的材料为非故意掺杂的半导体材料，所述沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，其中，所述第一沟道层位于缓冲层上，位于第一沟道层和第二沟道层之间的插入层，其中，所述插入层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，位于第二沟道层上的势垒层，所述势垒层和所述第二沟道层的界面之间存在二维电子气。本发明克服了异质结结构和异质结场效应管的电流崩塌和漏电问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104009077A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410244398.3 | 申请日期 | 2014.06.04 |
| 申请人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 发明人 | 张乃千 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 路凯;邓猛烈 |
| 主权项 | 一种异质结结构，其特征在于，所述异质结结构包括：缓冲层，所述缓冲层的材料为半绝缘的半导体材料；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层的材料为非故意掺杂的半导体材料，所述沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，其中，所述第一沟道层位于所述缓冲层上；位于所述第一沟道层和所述第二沟道层之间的插入层，其中，所述插入层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度；位于所述第二沟道层上的势垒层，所述势垒层和所述第二沟道层的界面之间存在二维电子气。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||