| 发明名称 | 测试单元以及测试结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种测试单元以及测试结构，该测试单元包括衬底、多个栅极、多个硅连接层以及侧墙，所述多个栅极和多个硅连接层在所述衬底上交错排列，所述侧墙位于所述栅极和硅连接层之间，所述测试单元真实模拟了SRAM结构，可以准确地检测检测硅连接层与栅极之间的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN203800018U | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201420147494.1 | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 程凌霄;于艳菊 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种测试单元，其特征在于，包括：衬底、多个栅极、多个硅连接层以及侧墙，所述多个栅极和多个硅连接层在所述衬底上交错排列，所述侧墙位于所述栅极和硅连接层之间。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||