Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质

摘要

本发明涉及一种Bi-Ge-O型烧结体溅射靶以及该靶的制造方法以及光记录介质，所述烧结体溅射靶含有铋（Bi）、锗（Ge）和氧（O），其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57<(Bi/(Bi+Ge))<0.75，并且由作为结晶相的Bi₁₂GeO₂₀和Bi₄Ge₃O₁₂两相构成；特别地提供Bi-Ge-O型烧结体溅射靶以及该靶的制造方法以及光记录介质，所述烧结体溅射靶耐热冲击性优良，可以高功率溅射因此可以预计生产效率大幅改善，并且在溅射时不产生靶的破裂、粉粒的产生少、可以稳定地制作高品质的薄膜，可以得到不产生记录位错误的光记录介质。

主权项

一种Bi‑Ge‑O型烧结体溅射靶，含有铋（Bi）、锗（Ge）和氧（O），其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57<(Bi/(Bi+Ge))<0.75，由作为结晶相的Bi₁₂GeO₂₀和Bi₄Ge₃O₁₂两相构成，并且所述Bi₁₂GeO₂₀的平均粒径为1μm以下、最大粒径为3μm以下。