| 发明名称 | 侦测半导体装置的方法及系统、半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种侦测半导体装置的方法及系统、半导体装置及其制造方法。其提供用以检测在半导体、半导体装置或基板中的缺陷的方法及系统。也提供具有新形测试图案及/或设计的半导体、半导体装置或基板。其中具有多个线路图案的半导体、半导体装置或基板产生一反应。多个线路图案对应于一反应刺激物（如电子束辐射）。反应刺激物可以包括一电子束辐射，且该反应产生一影像资料，该影像资料可被收集及处理以产生用以指出表面及/或内部缺陷的影像。 | ||
| 申请公布号 | CN104008984A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410059737.0 | 申请日期 | 2014.02.21 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 庄严;洪哲伦;李筱玲 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G01N23/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种侦测一半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供具有多个线路图案的该半导体装置，该些线路图案设置于一基板上，该些线路图案是借由一互连线路图案连接；暴露该些线路图案至一反应刺激；以及测量该些线路图案至该反应刺激的一反应，其中该些线路图案的该反应指出一表面缺陷、一内部缺陷或其组合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||