| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体层中形成栅极开口；在栅极开口中形成牺牲栅；在半导体层的邻近栅极开口的部分中形成源区和漏区；去除牺牲栅；在栅极开口中形成包括替代栅介质层和替代栅导体层的栅堆叠；以及在源区和漏区的顶部形成硅化物，其中，栅极开口用于限定半导体层的提供沟道区的部分的厚度。该方法形成的半导体器件可以改善沟道控制。 | ||
| 申请公布号 | CN104008973A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201310059179.3 | 申请日期 | 2013.02.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐兆云;闫江 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体层中形成栅极开口；在栅极开口中形成牺牲栅；在半导体层的邻近栅极开口的部分中形成源区和漏区；去除牺牲栅；在栅极开口中形成包括替代栅介质层和替代栅导体层的栅堆叠；以及在源区和漏区的顶部形成硅化物，其中，栅极开口用于限定半导体层的提供沟道区的部分的厚度。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||