| 发明名称 | 集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法，其提供的是集成电路及用于制造集成电路的方法。在示例性实施例中，用于制造集成电路的方法包括在半导体基板上方提供牺牲栅极结构。该牺牲栅极结构包括两间隔件及介于该两间隔件之间的牺牲栅极材料。该方法使介于该两间隔件之间的该牺牲栅极材料的一部分形成凹部。蚀刻该两间隔件的上方区域并使用该牺牲栅极材料当作掩模。该方法包含移除该牺牲栅极材料的留存部位并暴露该两间隔件的下方区域。在该两间隔件的下方区域之间沉积第一金属。在该两间隔件的上方区域之间沉积第二金属。 | ||
| 申请公布号 | CN104009003A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410057501.3 | 申请日期 | 2014.02.20 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司;国际商业机器公司 | 发明人 | 谢瑞龙;朴灿柔;项·波诺斯 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于制造集成电路的方法，该方法包含：在半导体基板上方设置牺牲栅极结构，其中，该牺牲栅极结构包括两间隔件及介于该两间隔件之间的牺牲栅极材料；使介于该两间隔件之间的该牺牲栅极材料的一部分形成凹部；蚀刻该两间隔件的上方区域并使用该牺牲栅极材料当作掩模；移除该牺牲栅极材料的留存部位并暴露该两间隔件的下方区域；在该两间隔件的所述下方区域之间沉积第一金属；以及在该两间隔件的所述上方区域之间沉积第二金属。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||