一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有钝化层电荷补偿的新AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新的晶体结构是在晶体管栅极和漏极之间的表面钝化层中注入电荷形成电荷补偿层，这些电荷存在于晶体管表面，在不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的同时能通过电场调制效应使表面电场重新分布，产生新的电场峰，从而使得栅边缘以及漏端高电场降低，表面电场趋于均匀，击穿电压和器件可靠性相比于传统结构也就有了明显的提高与改善。另外利用电荷补偿层的电荷补偿作用，使沟道载流子浓度重新分布，可以使器件导通电阻减小，输出电流增大。

主权项

一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括：半绝缘衬底；位于所述半绝缘衬底上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上异质外延生长的AlGaN层；分列于所述AlGaN层上的源极、栅极以及漏极；位于所述AlGaN层上栅极与漏极之间生长的表面钝化层，其特征在于：所述表面钝化层内具有调制沟道载流子浓度的电荷补偿层。