Method for treating a semi-conductor substrate by thermal activation of light elements

摘要

Procédé de traitement d'un substrat à base d'un semi-conducteur de type Si_XA_Y et comportant quatre types distincts d'éléments légers, comprenant les étapes suivantes :
- réalisation d'un premier recuit du substrat à une température T1 correspondant à une température d'activation thermique d'un premier des quatre types d'éléments légers,
- réalisation d'un second recuit à une température T2 correspondant à une température d'activation thermique d'un second des quatre types d'éléments légers,
- réalisation d'un troisième recuit à une température T3 correspondant à une température d'activation thermique d'un troisième des quatre types d'éléments légers,
- réalisation d'un quatrième recuit à une température T4 correspondant à une température d'activation thermique d'un quatrième des quatre types d'éléments légers,

chaque recuit comportant un maintien à la température T1, T2, T3 ou T4 et les températures étant telles que T1 > T2 > T3 > T4.