发明名称 具有多个可编程区的栅极阵列架构
摘要 本发明揭示用于形成定制集成电路IC的系统及方法,所述定制集成电路IC具有:晶片上的第一固定(不可编程)区,其具有不可定制掩模层,其中所述第一固定区包含形成基本单元的多种晶体管以及第一互连层及在所述第一互连层上面的第二互连层;及可编程区,其在所述第一固定区上面,具有可定制掩模层,其中所述可编程区中的至少一个掩模层耦合到所述第二互连层,此提供对所述基本单元的所有晶体管节点的电接达,且其中所述可编程区包括耦合到所述可定制掩模层以对所述IC进行定制的第三互连层。可在所述可编程区上面形成第二固定区以提供多个固定区且减少在对所述定制IC进行定制时所需的掩模的数目。
申请公布号 CN104011857A 申请公布日期 2014.08.27
申请号 CN201280049037.2 申请日期 2012.09.28
申请人 贝圣德公司 发明人 乔纳森·C·帕克;萨拉赫·M·维菲力;江苇芝;许文达;郑国雄;杰里米·嘉健·李
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种定制集成电路IC,其包括:晶片上的第一固定(不可编程)区,其具有不可定制掩模层,其中所述第一固定区包含形成基本单元的多种晶体管以及第一互连层及在所述第一互连层上面的第二互连层;及可编程区,其在所述第一固定区上面,具有可定制掩模层,其中所述可编程区中的至少一个掩模层耦合到所述第二互连层,此提供对所述基本单元的所有晶体管节点的电接达,且其中所述可编程区包括耦合到所述可定制掩模层以对所述IC进行定制的第三互连层。
地址 美国加利福尼亚州