| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括：栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的半导体；设置在半导体的沟道上的蚀刻阻挡件；设置在半导体上的源电极；以及设置在半导体上的漏电极。源电极和漏电极中的至少一个不与蚀刻阻挡件叠置。蚀刻阻挡件与半导体的沟道的至少一个尺寸基本上相同。 | ||
| 申请公布号 | CN104009092A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201310346650.7 | 申请日期 | 2013.08.09 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 朴承铉;宋俊昊;李宰学 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王占杰;刘灿强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的半导体；设置在半导体的沟道上的蚀刻阻挡件；设置在半导体上的源电极；以及设置在半导体上的漏电极，其中，源电极和漏电极中的至少一个不与蚀刻阻挡件叠置，以及其中，蚀刻阻挡件与半导体的沟道的至少一个尺寸基本上相同。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||