| 发明名称 |
在反应室中在基板上沈积钌薄膜之方法及由钌薄膜形成之结构 |
| 摘要 |
一种在反应室中在基板上沈积钌(Ru)薄膜之方法，其包括：(i)将钌前驱体之气体供应至所述反应室中，使得所述钌前驱体之气体被吸附至所述基板上，其中所述钌前驱体为含有非环状二烯基之钌错合物；(ii)将受激还原气体供应至所述反应室中以活化吸附至所述基板上之所述钌前驱体；及(iii)重复步骤(i)及步骤(ii)，藉此在所述基板上形成钌薄膜。 |
| 申请公布号 |
TWI450335 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
| 申请号 |
TW096128199 |
申请日期 |
2007.08.01 |
| 申请人 |
日本ＡＳＭ股份有限公司 日本 |
发明人 |
神力博;井上裕章 |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种在反应室中在基板上沈积钌(Ru)薄膜之方法，包含：(i)将钌前驱体之气体供应至所述反应室中，使得所述钌前驱体之所述气体被吸附至所述基板上，所述钌前驱体为含有非环状二烯基之钌错合物；(ii)将受激还原气体供应至所述反应室中以活化吸附至所述基板上之所述钌前驱体；以及(iii)重复步骤(i)及步骤(ii)，藉此在所述基板上形成钌薄膜，其中所述钌薄膜具有不少于0.5nm但不大于2.0nm之厚度。 |
| 地址 |
日本 |
