发明名称 使用制程敏感度模式以辨识光罩布局中的制造问题区域之方法
摘要 本发明之一实施例提供一种辨识光罩布局中可能导致制造问题的一区域之系统。操作过程期间,该系统产生一正中目标制程模式,系在标称(例如:最佳的)制程状况下将一半导体制造过程模式化;该系统也产生一或多个偏离目标制程模式,系在一或多个任意的(例如:非最佳的)制程状况下将该半导体制造过程模式化;接着该系统利用该正中目标制程模式和该偏离目标制程模式计算一制程敏感度模式。注意到一制程模式(正中目标、偏离目标、或制程敏感度)是可以由一个多维(例如:二维)函数表示,然后该系统利用该制程敏感度模式以辨识出该光罩布局中的一问题区域。注意到辨识该问题区域的步骤容许其被修正,因此改善该光罩布局的制造可行性。此外,利用该制程敏感度模式以辨识该问题区域之步骤降低辨识该问题区域所需要的计算时间。
申请公布号 TWI450115 申请公布日期 2014.08.21
申请号 TW098143909 申请日期 2005.12.28
申请人 希诺皮斯股份有限公司 美国 发明人 梅尔文三世 劳伦斯;雪利 詹姆士
分类号 G06F17/50;H01L21/00;G03F1/38 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种利用一制程敏感度模式在一未修正、部分修正、或完全修正的光罩布局中以辨识一制造问题区域之方法,该方法包括:将代表该制程敏感度模式的第一多维函数以代表该光罩布局的第二多维函数作回旋运算,以计算一问题指标;以及利用该问题指标以辨识该光罩布局中的该制造问题区域;其中该第一多维函数截取所有的制程敏感度资讯,因此大幅地降低用于辨识该制造问题区域所需要的计算量,及其中该制程敏感度模式是制造期间制程变量的一种表示。
地址 美国
您可能感兴趣的专利