原位腔室处理与沉积制程

摘要

本发明的实施例提供一用于在例如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)之气相沉积制程期间，处理制程腔室的内表面和在其上沉积一材料的方法。在一实施例中，于一预处理制程期间，该制程腔室的内表面和该基材可暴露至一试剂，例如，氢化配体化合物。该氢化配体化合物可为与从后续沉积制程期间使用之金属有机前驱物所形成的自由配体相同的配体。该自由配体通常在沉积制程期间藉由氢化或热解来形成。在一范例中，于实施气相沉积制程前，该制程腔室和基材在预处理制程期间暴露至一烷基胺化合物(例如，二甲胺)；该气相沉积制程使用金属有机化学前驱物，其具有烷胺配体，例如，五(二甲胺)钽(PDMAT)。

主权项

一种用于处理一腔室与在一基材表面上沉积一材料的方法，包含以下步骤：在一预处理制程期间，将一制程腔室的多个内表面和配置在该制程腔室内部的一基材同时暴露至一处理气体，该处理气体包含一氢化配体化合物，其中该氢化配体化合物具有HL的化学式，其中该氢化配体化合物的配体L选自由环戊二烯基、烷基环戊二烯基、戊二烯基、吡咯基、前述配体之异构物、前述配体之衍生物、及前述配体之组合所构成的群组，且在该预处理制程期间在该制程腔室的该等内表面上形成该氢化配体化合物的一涂层；以及随后地在一气相沉积制程期间，将该基材暴露至一第一前驱物气体，以在该制程腔室内部的该基材上沉积一材料，其中该第一前驱物气体包含一第一前驱物，该第一前驱物具有ML’x的化学式，其中x为1、2、3、4、5、6或更大，M是一元素，该元素选自下列元素所构成的群组：钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、钌、钴、镍、钯、铂、铜、铝、镓、铟、矽、锗、锡、磷、砷以及锑，且每一L’独立地为一配体，该配体选自下列配体所构成的群组：烷胺基、烷基亚胺基、烷氧基、烷基、烯、炔、环戊二烯基、烷基环戊二烯基、戊二烯基、吡咯基、氢、卤素、前述配体之异构物、和前述配体之组合。