发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
为了要解决其中天线或包括薄膜电晶体之电路由于累积于绝缘物中的电荷之放电而损坏(静电放电的问题),半导体装置包含:第一绝缘物;包括薄膜电晶体之电路,该电路系设置于该第一绝缘物之上;天线,其系设置于该电路之上且电性连接至该电路;以及第二绝缘物,其系设置于该天线之上;第一导电膜,其系设置于该第一绝缘物与该电路之间;以及第二导电膜,其系设置于该第二绝缘物与该天线之间。 |
申请公布号 |
TWI450381 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
申请号 |
TW098131226 |
申请日期 |
2009.09.16 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
及川欣聪;江口晋吾 |
分类号 |
H01L27/04;G06K19/077;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征为:具有第1绝缘体,在比前述第1绝缘体更为上方具有第1导电层,在比前述第1导电层更为上方具有电晶体,在比前述电晶体更为上方具有第2导电层,在比前述第2导电层更为上方具有可作为天线来发挥功能的第3导电层,在比前述第3导电层更为上方具有第2绝缘体。 |
地址 |
日本 |