发明名称 |
绝缘图型之形成方法及镶嵌制程用绝缘图型之形成材料 |
摘要 |
本发明之目的系提供一种不施予繁琐之蚀刻步骤等而可以简便地形成多层构造之绝缘图型形成方法及镶嵌制程用绝缘图型之形成材料。本发明之绝缘图型形成方法之特征为具有下列步骤:[I]于基板上形成有机图型之步骤,[II]在有机图型之图型间埋入绝缘材料之步骤,[III]去除有机图型,获得由绝缘材料所成之反转图型之步骤,及[IV]使所得反转图型硬化之步骤。 |
申请公布号 |
TWI450318 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
申请号 |
TW100118645 |
申请日期 |
2011.05.27 |
申请人 |
JSR股份有限公司 日本 |
发明人 |
出井慧;生井准人;保田庆友;长谷川公一 |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/306;G03F7/075;C08G77/385 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种镶嵌制程所使用之绝缘图型形成方法,其系具有下列步骤:〔1〕于基板上形成第一有机图型之步骤,〔2〕于前述第一有机图型之图型间埋入绝缘材料之步骤,〔3〕使前述第一有机图型之上表面露出之步骤,〔4〕形成与前述第一有机图型之上表面邻接之第二有机图型之步骤,〔5〕于前述第二有机图型之图型间埋入绝缘材料之步骤,〔6〕去除前述第一有机图型及前述第二有机图型,获得由前述绝缘材料所成之反转图型之步骤,及〔7〕使所得反转图型硬化之步骤。 |
地址 |
日本 |