提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法

摘要

一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前，对氧化硅层的凸出部分进行倾角离子注入，利用离子注入的能量效应对氧化硅成键状态进行破坏，因此在随后针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺中，研磨液对凸出部分的化学腐蚀作用得到增强，提高了凸出部分材料的移除速率，从而在研磨过程中，氧化硅层中存在的高度落差不会传递下去，避免了氧化硅凹陷的产生，得到了平坦的氧化硅表面，消除了随后存在金属残留的可能，从而提高器件电学性能和成品率。

主权项

一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，其特征在于包括：提供衬底，以及位于所述衬底上的多晶栅，相邻的所述多晶栅之间的间隙宽度为L；沉积氮化硅层于所述衬底上，并对所述氮化硅层进行图案化，使所述氮化硅层覆盖所述多晶栅的顶部和侧壁；沉积氧化硅层于所述衬底上，所述氧化硅层至少完全填充相邻的所述多晶栅之间的间隙；所述氧化硅层具有凸出部分，所述凸出部分位于所述多晶栅的正上方，所述凸出部分的凸出高度为H；采用第一化学机械平坦化工艺，对所述氧化硅层进行平坦化处理，直至暴露出覆盖所述多晶栅顶部的所述氮化硅层；采用第二化学机械平坦化工艺，对暴露出的所述氮化硅层进行平坦化处理，直至暴露出所述多晶栅的顶部；其中，在所述第一化学机械平坦化工艺之前，进行如下步骤：在沉积所述氧化硅层之后，直接采用第一倾角离子工艺对所述凸出部分进行离子注入，所述第一倾角离子工艺的注入方向与水平方向之间的夹角为arctan(H/L)。