发明名称 封装半导体器件和封装器件及方法
摘要 本发明公开了封装半导体器件和封装器件及方法。在一个实施例中,一种封装半导体器件的方法包括提供第一集成电路管芯,该第一集成电路管芯与包括多个设置在其上的衬底通孔(TSV)的衬底的第一表面相连接。导体球状件与衬底的第二表面上的多个TSV中的每个相连接,第二表面与衬底的第一表面相反。第二集成电路管芯与衬底的第二表面相连接,并且模塑料形成在导体球状件、第二集成电路管芯和衬底的第二表面之上。模塑料被从导体球状件的顶面上去除,并且导体球状件的顶面被形成凹部。在导体球状件的顶面和模塑料上方形成有再分配层(RDL)。
申请公布号 CN103996630A 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201310188263.5 申请日期 2013.05.20
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林俊成;蔡柏豪
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:提供第一集成电路管芯,所述第一集成电路管芯与衬底的第一表面相连接,所述衬底中设置有多个衬底通孔(TSV);在所述衬底的第二表面上将导体球状件与所述多个TSV中的每一个相连接,所述第二表面相对于所述衬底的所述第一表面;将第二集成电路管芯与所述衬底的所述第二表面相连接;在所述导体球状件、所述第二集成电路管芯和所述衬底的所述第二表面之上形成模塑料;去除所述导体球状件的顶面上方的所述模塑料;使所述导体球状件的顶面凹陷;以及在所述导体球状件的顶面和所述模塑料之上形成再分配层(RDL)。
地址 中国台湾新竹
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