发明名称 |
封装半导体器件和封装器件及方法 |
摘要 |
本发明公开了封装半导体器件和封装器件及方法。在一个实施例中,一种封装半导体器件的方法包括提供第一集成电路管芯,该第一集成电路管芯与包括多个设置在其上的衬底通孔(TSV)的衬底的第一表面相连接。导体球状件与衬底的第二表面上的多个TSV中的每个相连接,第二表面与衬底的第一表面相反。第二集成电路管芯与衬底的第二表面相连接,并且模塑料形成在导体球状件、第二集成电路管芯和衬底的第二表面之上。模塑料被从导体球状件的顶面上去除,并且导体球状件的顶面被形成凹部。在导体球状件的顶面和模塑料上方形成有再分配层(RDL)。 |
申请公布号 |
CN103996630A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201310188263.5 |
申请日期 |
2013.05.20 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林俊成;蔡柏豪 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:提供第一集成电路管芯,所述第一集成电路管芯与衬底的第一表面相连接,所述衬底中设置有多个衬底通孔(TSV);在所述衬底的第二表面上将导体球状件与所述多个TSV中的每一个相连接,所述第二表面相对于所述衬底的所述第一表面;将第二集成电路管芯与所述衬底的所述第二表面相连接;在所述导体球状件、所述第二集成电路管芯和所述衬底的所述第二表面之上形成模塑料;去除所述导体球状件的顶面上方的所述模塑料;使所述导体球状件的顶面凹陷;以及在所述导体球状件的顶面和所述模塑料之上形成再分配层(RDL)。 |
地址 |
中国台湾新竹 |