| 发明名称 | 固体电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103999207A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201280058844.0 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;钟守期 |
| 主权项 | 一种固体电子装置，其中，所述固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，且所述氧化物层可以包含不可避免的杂质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县川口市 | ||