一种高温CVD工艺的压差改良方法

摘要

本发明公开了一种高温CVD工艺的压差改良方法，包括以下步骤：提供一工艺室与一连通工艺室的传递室；提供至少一待加工的基片，并将基片通过传递室传递至工艺室；在工艺室内对基片实施沉积工艺，向工艺室中通入惰性气体，使得工艺室内的压力大于传递室内的压力，从而保证异物往传递室流动，减少工艺室的中成膜缺陷，改善良率，而且惰性气体流入到传递室中还可有效冷却工艺室内的设备，防止H/W变型；在工艺室内对所述基片实施蚀刻工艺，向传递室中通入惰性气体，使得传递室内的压力大于工艺室内的压力，从而防止蚀刻气体从工艺室泄漏到传递室，损害和腐蚀传递室内部，同时将蚀刻气体牢牢控制在工艺室内，提高气体使用率，提高蚀刻速率。

主权项

一种高温CVD工艺的压差改良方法，其特征在于包括以下步骤：提供一工艺室与一连通所述工艺室的传递室；提供至少一待加工的基片，并将所述基片通过所述传递室传递至所述工艺室；在工艺室内对所述基片实施沉积工艺，向所述工艺室中通入惰性气体，使得工艺室内的压力大于传递室内的压力；在所述工艺室内对所述基片实施蚀刻工艺，向传递室中通入惰性气体，使得传递室内的压力大于工艺室内的压力。