| 发明名称 | 监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，包括：在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。 | ||
| 申请公布号 | CN103996636A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201410253190.8 | 申请日期 | 2014.06.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 范荣伟;王洲男;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于包括：在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||