| 发明名称 | 干法刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种干法刻蚀方法，该干法刻蚀方法包括：在对第一介质层进行刻蚀后，向反应腔室通入第二反应气体，在第二射频功率的激发下所述第二反应气体形成等离子体，以使由第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合；对所述反应腔室进行抽真空处理；对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀，本发明的技术方案可有效的避免在执行“转换步骤”过程中颗粒污染物掉落在玻璃基板上，同时，提高了抽真空的效率，减少了反应腔室内颗粒污染物的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN103996621A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201410171759.6 | 申请日期 | 2014.04.25 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 丁向前;刘耀;陈曦;李梁梁;白金超;刘晓伟 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括：在对第一介质层进行刻蚀后，向反应腔室通入第二反应气体，在第二射频功率的激发下所述第二反应气体形成等离子体，以使由第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合；对所述反应腔室进行抽真空处理；对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||