形成含锗膜的装置的使用方法

摘要

本发明提供一种成膜含锗膜的装置的使用方法，该使用方法按照以下顺序进行以下处理：第一成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜；第一清洁处理，对成膜副产物进行蚀刻；第二清洁处理，去除残留在反应容器内的锗；以及第二成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜。其中，在第二清洁处理中，一边从未容纳成品用被处理体的反应容器内排气，一边向反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁气体的同时对反应容器内加热来活化第二清洁气体。

主权项

一种形成含锗膜的装置的使用方法，该方法具备以下工序：进行第一成膜处理的工序，其利用化学气相沉积在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜，这里，在将锗源气体供给到上述反应容器内的同时对上述反应容器内加热来活化上述锗源气体，并通过上述第一成膜处理使含锗的成膜副产物附着在上述反应容器内，上述含锗的第一成品膜为SiGe膜；进行第一清洁处理的工序，其在上述第一成膜处理之后对上述成膜副产物进行蚀刻，这里，一边从未容纳成品用被处理体的上述反应容器内排气，一边向上述反应容器内供给包含卤素的第一清洁气体的同时对上述反应容器内加热来活化上述第一清洁气体，上述第一清洁气体的卤素为氟气；进行第二清洁处理的工序，其在上述第一清洁处理之后去除残留在上述反应容器内的锗，这里，一边从未容纳成品用被处理体的上述反应容器内排气，一边向上述反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁处理气体的同时对上述反应容器内加热来活化上述第二清洁气体，且上述氧化气体选自由氧气、臭氧气体、以及氮和氧的化合物气体所组成的组；以及进行第二成膜处理的工序，其在上述第二清洁处理之后利用化学气相沉积在容纳于上述反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜，这里，在将成膜处理气体供给到上述反应容器内的同时对上述反应容器内加热来活化上述成膜处理气体，还具备进行预涂处理的工序，该预涂处理在上述第二清洁处理与上述第二成膜处理之间利用与上述第二成品膜相同组成的覆膜来覆盖上述反应容器的内表面。