发明名称 电平转换电路
摘要 电平转换电路包括输入单元、转换电路、栅极驱动器以及输出切换装置。输入电路接收输入信号V<sub>IN1</sub>并输出同相输入信号和反相输入信号,输入信号V<sub>IN1</sub>的电压电平位于接地电压GND与第一驱动电压V<sub>D1</sub>之间,同相输入信号的相位与输入信号的相位相同,反相输入信号的相位与输入信号的相位相反。转换电路接收从输入电路输出的同相输入信号和反相输入信号,并将所接收的信号转换为输出信号,输出信号的电压电平位于接地电压与高于第一驱动电压的第二驱动电压之间。栅极驱动器接收输出信号并输出驱动信号。输出切换装置接收从栅极驱动器输出的驱动信号并输出切换电压。
申请公布号 CN102457265B 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201110342810.1 申请日期 2011.10.25
申请人 AD技术有限公司 发明人 金成烈;柳童烈;李秉燦
分类号 H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 余朦;王艳春
主权项 一种电平转换电路,包括:输入电路(210),被配置为接收输入信号(V<sub>IN1</sub>)并输出同相输入信号(V<sub>IN</sub>)和反相输入信号(V<sub>INB</sub>),所述输入信号(V<sub>IN1</sub>)的电压电平位于接地电压(GND)与第一驱动电压(V<sub>D1</sub>)之间,所述同相输入信号(V<sub>IN</sub>)的相位与所述输入信号(V<sub>IN1</sub>)的相位相同,所述反相输入信号(V<sub>INB</sub>)的相位与所述输入信号(V<sub>IN1</sub>)的相位相反;转换电路(220),被配置为接收从所述输入电路输出的所述同相输入信号(V<sub>IN</sub>)和所述反相输入信号(V<sub>INB</sub>),并将所接收的信号转换成输出信号(V<sub>OUT</sub>),所述输出信号(V<sub>OUT</sub>)的电压电平位于接地电压(GND)与高于所述第一驱动电压(V<sub>D1</sub>)的第二驱动电压(V<sub>D2</sub>)之间;栅极驱动器(230),被配置为接收所述输出信号(V<sub>OUT</sub>)并输出驱动信号(V<sub>G</sub>);以及输出切换装置(240),被配置为接收从所述栅极驱动器(230)输出的所述驱动信号(V<sub>G</sub>)并输出切换电压(V<sub>SW</sub>),其中所述转换电路(220)包括:第一NMOS晶体管(NM1),具有连接至所述接地电压(GND)的源极端和施加有所述同相输入信号(V<sub>IN</sub>)的栅极端;第二NMOS晶体管(NM2),具有连接至所述接地电压(GND)的源极端和施加有所述反相输入信号(V<sub>INB</sub>)的栅极端;第一齐纳二极管(ZD1),具有连接至所述第一NMOS晶体管(NM1)的漏极端的第一端和连接至所述第二驱动电压(V<sub>D2</sub>)的第二端;第二齐纳二极管(ZD2),具有连接至所述第二NMOS晶体管(NM2)的漏极端的第一端和连接至所述第二驱动电压(V<sub>D2</sub>)的第二端;第一PMOS晶体管(PM1),具有连接至所述第一NMOS晶体管(NM1)的漏极端的漏极端、连接至所述第二驱动电压(V<sub>D2</sub>)的源极端、以及连接至所述第二NMOS晶体管(NM2)的漏极端的栅极端;以及第二PMOS晶体管(PM2),具有连接至所述第二NMOS晶体管(NM2)的漏极端的漏极端、连接至所述第二驱动电压(V<sub>D2</sub>)的源极端、以及连接至所述第一PMOS晶体管(PM1)的漏极端的栅极端。
地址 韩国忠北清州市