发明名称 切割带集成晶片背面保护膜
摘要 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜,其包括:切割带,所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层;和晶片背面保护膜,所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上,其中所述晶片背面保护膜是有色的。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。
申请公布号 CN101794724B 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201010106090.4 申请日期 2010.01.29
申请人 日东电工株式会社 发明人 高本尚英;松村健
分类号 H01L21/68(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/68(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法,所述切割带集成晶片背面保护膜包括:切割带,所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层;和晶片背面保护膜,所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上,其中所述晶片背面保护膜是有色的,在温度250℃下加热1小时后的重量减少率为1重量%以下,所述方法包括以下步骤:粘贴工件至所述切割带集成晶片背面保护膜的所述有色晶片背面保护膜上,切割所述工件以形成芯片形工件,与所述有色晶片背面保护膜一起,从所述切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件,和通过倒装芯片接合将所述芯片形工件固定至被粘物。
地址 日本大阪府