发明名称 溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法
摘要 一种溅射装置配备有:基板保持器(22),在基板的待处理面的面方向上可旋转地保持基板(21);基板侧磁体(30),在基板(21)的待处理面处形成磁场,并且被布置在基板(21)周边;阴极(41),用于产生放电的功率被施加到该阴极(41),并且,该阴极(41)被布置在基板(21)的斜上方;位置检测单元(23),检测基板(21)的旋转位置;和控制器(5),根据由位置检测单元(23)检测的旋转位置来控制用于产生放电的功率。
申请公布号 CN102227514B 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN200980147190.7 申请日期 2009.12.25
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 北田亨;渡边直树;长井基将
分类号 C23C14/34(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 魏小薇
主权项 一种溅射装置,其特征在于包括:基板保持器,保持基板以使该基板能够沿基板的处理面的面方向旋转;基板磁场形成装置,被布置在基板周围,能够在基板被基板保持器支撑的状态下与基板同步地旋转,用于在基板的处理面上形成沿基板的处理面具有方向特性的磁场;阴极,被布置在与基板斜向对置的位置处,并且接收放电功率,所述阴极被布置为保持靶,所述靶包含磁性材料或者反磁性材料;位置检测装置,用于检测基板的旋转位置;和功率控制装置,用于根据由所述位置检测装置检测的旋转位置来控制向所述阴极施加的功率,其中,所述功率控制装置进行控制,以使得当基板磁场形成装置的北极的在圆周方向上的中心附近的部分面向阴极的靶时第一功率值的功率被施加到阴极,而当基板磁场形成装置的南极的在圆周方向上的中心附近的部分面向阴极的靶时大于第一功率值的第二功率值的功率被施加到阴极。
地址 日本神奈川