| 摘要 |
一种制造薄膜光电装置(100)之方法(200)及沉积区设备(300),该方法包括:提供未扩散钾之基板(110),形成背接触层(120),形成至少一个由ABC硫族化合物材料制成之吸收剂层(130),添加至少两种不同硷金属,及形成至少一个前接触层(150),其中该至少两种不同硷金属中之一者为钾,且其中在形成该前接触层之后,在从背接触层(120)(不含背接触层(120))至前接触层(150)(含前接触层(150))之层(470)的间隔中,添加至少两种不同硷金属所得之钾的含量在500至10000 ppm之范围内,该至少两种不同硷金属之另一者的含量在5至2000 ppm之范围内且最多为钾含量的1/2且最少为钾含量的1/2000。方法(200)与设备(300)有利于更环保地以高光伏打转换效率与更快速制造速率在挠性基板上制造光伏打装置(100)。 |
