发明名称 |
经由冗余阵列之非挥发性记忆体程式错误修复;NON-VOLATILE MEMORY PROGRAM FAILURE RECOVERY VIA REDUNDANT ARRAYS |
摘要 |
经由冗余阵列之非挥发性记忆体程式错误修复在一些储存子系统实施方案(例如一固态磁碟)中实现更高程式化频宽及/或减少延时。在一非挥发性记忆体控制器处接收待将复数个非挥发性记忆体之N个部分程式化之资料。该资料包含待将该N个部分之一特定者程式化之特定资料。该特定资料储存于与该非挥发性记忆体控制器相关联之一分配缓冲区中。开始将该特定资料程式化至该等非挥发性记忆体之一特定者。更新足以修复该N个部分之M者之错误之冗余资讯。释放该分配缓冲区。该储存、该开始程式化、该更新及该释放之至少一者系回应于该特定资料之该接收。该释放发生在该特定非挥发性记忆体完成该程式化之前。 |
申请公布号 |
TW201432702 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
申请号 |
TW102145669 |
申请日期 |
2013.12.11 |
申请人 |
LSI公司 |
发明人 |
华纳 杰瑞米 伊萨克 那萨尼尔;柯罕 厄尔T |
分类号 |
G11C29/24(2006.01);G11C29/44(2006.01) |
主分类号 |
G11C29/24(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
主权项 |
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地址 |
LSI CORPORATION 美国 |