Verbundwafer und ein Verfahren zur Herstellung davon

摘要

Ein Verbundwafer weist ein Substrat (11) und eine SiC-basierte Funktionsschicht (18) auf. Das Substrat (11) weist einen porösen Kohlenstoffsubstratkern (12) und eine Verkapselungsschicht (14) auf, die den Substratkern (12) verkapselt. Die SiC-basierte Funktionsschicht (18) umfasst an einer Grenzflächenregion (17) mit der Verkapselungsschicht (14) mindestens: ein Carbid oder ein Silicid, die durch die Reaktion eines Abschnitts der SiC-basierten Funktionsschicht (18) mit einem carbid- und silicidbildenden Metall gebildet werden. Eine Menge des carbid- und silicidbildenden Metalls, integriert über die Dicke der Funktionsschicht (18), beträgt 10–4 mg / cm2 bis 0,1 mg / cm2.