发明名称 |
半导体器件制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件制作方法,使冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度,因此最终形成的冗余金属线和辅助图形冗余金属线的高度小于金属导线的高度,与现有技术相比减小了冗余金属线和辅助图形冗余金属线的厚度(高度),可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。 |
申请公布号 |
CN102412198B |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201110335315.8 |
申请日期 |
2011.10.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
毛智彪;胡友存 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种半导体器件制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区;在所述半导体衬底上形成介质层;在所述冗余金属区和辅助图形冗余金属区上形成硬掩膜层;以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层,以形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽,所述辅助图形冗余金属槽和冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度;在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层;进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面,以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线,所述辅助图形冗余金属线和冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |