| 发明名称 | 调整纳米线结构的方法 | ||
| 摘要 | 本文涉及调整纳米线结构的方法，所揭示的一种描述性方法包括形成具有初始截面尺寸的初始纳米线结构、进行掺杂扩散程序以在初始纳米线结构中形成N型掺杂区以及进行蚀刻程序以移除至少一部分掺杂区并且藉以界定具有最终截面尺寸的最终纳米线结构，其中最终截面尺寸小于初始截面尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN103985631A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201410049089.0 | 申请日期 | 2014.02.12 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | N·V·里考斯;J·A·瓦尔 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成装置的方去，包括：形成具有初始截面尺寸的初始纳米线结构；进行掺杂扩散程序，以在该初始纳米线结构中形成N型掺杂区；以及进行蚀刻程序，以移除该掺杂区的至少一部分，并且藉以界定具有最终截面尺寸的最终纳米线结构，其中，该最终截面尺寸小于该初始截面尺寸。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||