| 发明名称 | 用于操纵极薄器件晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了在穿硅过孔(TSV)处理期间操纵器件晶片的结构和方法，其中使用永久热固性材料来将器件晶片接合到临时支撑衬底。当移除临时支撑衬底后，暴露出包括回流焊料凸起和永久热固性材料的平面前侧接合表面。 | ||
| 申请公布号 | CN103988299A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201180075117.0 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·J·李 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种结构，包括：半导体衬底，其具有前表面、后表面、微电子器件和穿过所述半导体衬底在所述后表面和所述前表面之间延伸的过孔；回流的焊料凸起，其形成在所述前表面之上；以及固化的热固性材料，其形成在所述前表面之上和所述回流的焊料凸起周围，其中所述固化的热固性材料和所述回流的焊料凸起形成平面前侧接合表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||