发明名称 一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极
摘要 本实用新型涉及太阳电池领域,具体而言,涉及一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极。该用于硅薄膜太阳电池的复合背电极,其特征在于,包括:铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片;所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上;多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面;其中,所有所述铝纳米片均为不规则的多边形;所述铝箔衬底为矩形,且所述铝箔衬底的厚度为0.5-1厘米;所述ZnO膜为矩形薄膜,且所述ZnO膜的厚度为15-20纳米。本实用新型提供的用于硅薄膜太阳电池的复合背电极,提高了整个背电极的散射效率,极大的增加了光在电池中的传播路程,进而可使得太阳光被电池的有源层更有效的吸收,进而增加电池的效率。
申请公布号 CN203774346U 申请公布日期 2014.08.13
申请号 CN201420192482.0 申请日期 2014.04.18
申请人 中国地质大学(北京) 发明人 郝会颖;何明
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人 吴开磊
主权项 一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极,其特征在于,包括:铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片;所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上;多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面;其中,所有所述铝纳米片均为不规则的多边形;所述铝箔衬底为矩形,且所述铝箔衬底的厚度为0.5‑1厘米;所述ZnO膜为矩形薄膜,且所述ZnO膜的厚度为15‑20纳米。
地址 100083 北京市海淀区学院路29号