发明名称 |
一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极 |
摘要 |
本实用新型涉及太阳电池领域,具体而言,涉及一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极。该用于硅薄膜太阳电池的复合背电极,其特征在于,包括:铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片;所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上;多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面;其中,所有所述铝纳米片均为不规则的多边形;所述铝箔衬底为矩形,且所述铝箔衬底的厚度为0.5-1厘米;所述ZnO膜为矩形薄膜,且所述ZnO膜的厚度为15-20纳米。本实用新型提供的用于硅薄膜太阳电池的复合背电极,提高了整个背电极的散射效率,极大的增加了光在电池中的传播路程,进而可使得太阳光被电池的有源层更有效的吸收,进而增加电池的效率。 |
申请公布号 |
CN203774346U |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201420192482.0 |
申请日期 |
2014.04.18 |
申请人 |
中国地质大学(北京) |
发明人 |
郝会颖;何明 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
代理人 |
吴开磊 |
主权项 |
一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极,其特征在于,包括:铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片;所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上;多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面;其中,所有所述铝纳米片均为不规则的多边形;所述铝箔衬底为矩形,且所述铝箔衬底的厚度为0.5‑1厘米;所述ZnO膜为矩形薄膜,且所述ZnO膜的厚度为15‑20纳米。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路29号 |