发明名称 |
用于射频、微波、以及毫米波集成电路的具有增强共模抑制的集成变压器巴伦 |
摘要 |
装置和方法的示例实施例在高频变压器巴伦中提供改进的共模抑制比。根据本发明的示例实施例,一种装置包括:形成初级线圈的、至少一个线匝的第一绕组,具有定向在第一方向上的第一差分引线和第二差分引线,初级线圈被形成在基板上方的第一导电层中并且初级线圈的第一差分引线被接地;以及形成次级线圈的、至少一个线匝的第二绕组,具有定向在第二方向上的第三差分引线和第四差分引线,第二方向以大于零度并且小于180度的角度从第一方向偏移,次级线圈被形成在由绝缘层从第一导电层分离的第二导电层中。 |
申请公布号 |
CN103985503A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410048966.2 |
申请日期 |
2014.02.12 |
申请人 |
诺基亚公司 |
发明人 |
P·S·斯沃亨;A·P·汤利 |
分类号 |
H01F19/00(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F19/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
酆迅 |
主权项 |
一种用于射频、微波、以及毫米波电路的装置,包括:形成初级线圈的、至少一个线匝的第一绕组,具有定向在第一方向上的第一差分引线和第二差分引线,所述初级线圈被形成在基板上方的第一导电层中并且所述初级线圈的所述第一差分引线被接地;以及形成次级线圈的、至少一个线匝的第二绕组,具有定向在第二方向上的第三差分引线和第四差分引线,所述第二方向以大于零度并且小于180度的角度从所述第一方向偏移,所述次级线圈被形成在由绝缘层从所述第一导电层分离的第二导电层中;其中所述初级线圈和所述次级线圈形成变压器巴伦。 |
地址 |
芬兰埃斯波 |