| 发明名称 | 包含金属氧化物电阻式存储器元件和反熔丝层的非易失性存储器单元 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器单元，包括第一电极、操纵元件、位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件、位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器、以及第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103988264A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201280061039.3 | 申请日期 | 2012.07.26 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | K.侯;Y-T.陈;Z.兰;H.许 |
| 分类号 | G11C17/16(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 万里晴 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器单元，包括：第一电极；操纵元件；位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件；位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器；以及第二电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||