| 发明名称 | 阵列基板及其制造方法、液晶显示器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法以及液晶显示器。所述阵列基板包括：一基板，包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；形成于所述基板上显示区域内的半导体有源结构和像素电极，所述半导体有源结构包括半导体通道、源极/漏极；形成于所述基板、半导体有源结构和像素电极上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上栅极和扫描线，所述栅极与所述半导体通道区域位置相对应；形成于所述栅极、扫描线和栅极绝缘层上的钝化层；以及形成于所述钝化层上的数据线和公共电极；其中，所述半导体有源结构和像素电极为透明金属氧化物半导体。采用上述阵列基板及其制造方法，在简化工艺、提高了电子迁移率的同时，还避免了源漏极寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN103984170A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201310053613.7 | 申请日期 | 2013.02.19 |
| 申请人 | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 | 发明人 | 翟应腾;吴勇 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括：一基板，包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；形成于所述基板上显示区域内的半导体有源结构和像素电极，所述半导体有源结构包括半导体通道、源极/漏极；形成于所述基板、半导体有源结构和像素电极上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上栅极和扫描线，所述栅极与所述半导体通道区域位置相对应；形成于所述栅极、扫描线和栅极绝缘层上的钝化层；以及形成于所述钝化层上的数据线和公共电极；其中，所述半导体有源结构和像素电极为透明金属氧化物半导体。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区汇庆路889号 | ||