互连接触结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种互连接触结构及其制造方法，该制造方法包括形成由多个半导体接触垫构成的一叠层，半导体接触垫耦合于一电路的各个有源层。半导体接触垫包括多个外周围，各个外周围具有一侧壁，侧壁耦合于各个有源层。杂质是沿着外周围注入以形成多个外周围低电阻区域于接触垫上。接着在半导体接触垫构成的叠层中形成多个开口，开口暴露一用于对应的半导体接触垫上的层间导体的着陆区且定义一内周围于至少一半导体接触垫上。经由注入杂质以沿着内周围形成多个内周围低电阻区域用于层间导体接触，内周围低电阻区域系连续地且与对应的外周围低电阻区域重叠。

主权项

一种互连接触结构(interconnect contact structure)的制造方法，包括：形成由多个半导体接触垫构成的一叠层(stack of semiconductor pads)，这些半导体接触垫分别耦合于一电路的多个有源层，该叠层中的这些半导体接触垫具有多个外周围(outside perimeter)，各该外周围包括至少一侧壁耦合于各该有源层；沿着这些半导体接触垫的这些外周围形成多个外周围低电阻区域(outside perimeter lower resistance region)；形成多个开口于这些半导体接触垫构成的该叠层中，各该开口暴露对应的该半导体接触垫的一着陆区(landing area)，并定义多个内周围(inside perimeter)于这些半导体接触垫上，各该内周围与对应的各该半导体接触垫重叠(overlap)；以及沿着这些半导体接触垫的这些内周围形成多个内周围低电阻区域(inside perimeter lower resistance region)。