硅基氮化镓外延层剥离转移的方法

摘要

本发明是一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，包括如下步骤：1）盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）配置腐蚀硅衬底的腐蚀溶液；4）将键合后的圆片置于腐蚀溶液中进行腐蚀；5）在露出来的硅基氮化镓外延层上旋涂BCB；6）自然冷却后，将临时载片上的硅基氮化镓外延层和目标衬底正面相对在温度为250摄氏度的条件下键合；7）去除临时载片。优点：利用本发明的方法可以将硅基氮化镓外延片上的氮化镓外延层薄膜完整的转移到所需衬底上，工艺简单、成品率高，转移过程中氮化镓外延层不会受到破坏。

主权项

一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，其特征是该方法包括如下步骤：1）用质量浓度为10%的盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在硅基氮化镓外延片的正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）配置腐蚀硅衬底的腐蚀溶液，由硝酸HNO₃、氢氟酸HF和去离子水组成，它们的体积比为，硝酸HNO₃：氢氟HF：去离子水=1：（1～3）：（5～10）；4）将键合后的圆片置于腐蚀溶液中进行腐蚀，腐蚀时间由硅衬底的厚度决定，直到将硅材料全部腐蚀干净；5）在露出来的硅基氮化镓外延片上,每英寸旋涂5毫升的BCB；厚度2‑4um,转速1000rpm‑5000rpm，时间为30秒，并在温度为100摄氏度的热板上烘烤2~5分钟；6）自然冷却后，将临时载片上的硅基氮化镓外延层和目标衬底正面相对在温度为250摄氏度的条件下键合，键合时间1~2小时；7）去除临时载片：将键合完的圆片浸泡在丙酮中，待光刻胶被丙酮全部溶解后目标衬底将与临时载片自动分离。