一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用透明的选择管作为驱动管，选择管的双向导通的特性实现了电路对存储单元的重复擦除与写入，并解决了串扰问题。选择管作为存储阵列的驱动管，解决了晶体管占用面积大、二极管单极性操作的限制，可以适应器件按比例缩小的进程，而且，选择管的制备工艺简单，节省成本。本发明的材料均采用柔性透明的材料，柔性透明存储阵列把“柔性透明电子系统”、“驱动管”以及“阻变存储器”三者结合在一起，它除了具有阻变存储器本身的特性外，还具备柔性、透明等优点，尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题，制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。

主权项

一种柔性透明存储阵列的制备方法包括以下步骤：1）在硅或玻璃的基片上形成柔性透明的衬底；2）在衬底上生长一层柔性透明的导电层，光刻图形化，形成m个条状的底电极，m为自然数；3）在底电极上溅射透明的氧化物薄膜，形成功能层；4）在功能层上溅射透明的导电薄膜，形成电极层，从而制备得到了透明的选择管；5）涂覆一层光刻胶，光刻并刻蚀至底电极的上表面，形成通孔；6）淀积阻变材料，形成阻变存储层；7）光刻刻蚀在底电极上的部分阻变材料，从而定义出底电极的引出通孔，同时，形成隔离侧墙；8）在阻变存储层上生长柔性透明的导电层，光刻图形化，形成n个条状的顶电极，同时形成底电极的引出电极，n为自然数；9）分离柔性透明的衬底与基片。