TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法

摘要

本发明实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其中，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。本发明实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不更改掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。

主权项

一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其特征在于，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度；其中，所述形成第一薄层氮化硅，包括，采用化学气相沉积方法在所述源漏电极之上形成第一薄层氮化硅，其中氨气流量为700～800sccm，硅烷气体流量为40～60sccm，腔室压强为1400～1600Pa，电源功率为600～800W，沉积时间为10～15s；所述第二层氮化硅包括第一分层氮化硅、第二分层氮化硅以及第三分层氮化硅，所述在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅，包括：步骤A：在所述第一薄层氮化硅上形成第一分层氮化硅；步骤B：在所述第一分层氮化硅之上形成第二分层氮化硅；步骤C：在所述第二分层氮化硅之上形成第三分层氮化硅；其中，所述步骤A中的腔室压强小于所述步骤B中的腔室压强，所述步骤B中的腔室压强小于所述步骤C的腔室压强，且执行所述步骤A的时间大于执行所述步骤B的时间，执行所述步骤B的时间大于执行所述步骤C的时间。