| 主权项 |
一种光栅之制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底表面形成一图形化的光罩层；将该形成有光罩层的基底放入一反应性电浆系统中，通入蚀刻气体对基底进行蚀刻，蚀刻过程分为三阶段：第一蚀刻阶段，蚀刻气体的成分为四氟化碳及氩气，四氟化碳及氩气同时通入，四氟化碳及氩气的总体积流量为40sccm至120sccm，四氟化碳的体积流量为10sccm至100sccm，氩气的体积流量为1sccm至30sccm；第二蚀刻阶段，蚀刻气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫及氩气，且四氟化碳、六氟化硫及氩气同时通入，其中，蚀刻气体的电浆的总体积流量为40sccm至120sccm，其中，六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量；第三蚀刻阶段，继续同时通入四氟化碳、六氟化硫及氩气，其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量，四氟化碳的体积流量为20sccm至80sccm，六氟化硫的体积流量为5sccm至50sccm，氩气的体积流量为5sccm至40sccm；及去除光罩层，得到一光栅。 |
