用于离子植入之设备、多模式离子源以及用于多种模式中的离子植入之方法

摘要

本发明揭露提供多模式离子源的技术。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为用于离子植入之设备，其包括在多种模式下操作之离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。

主权项

一种用于离子植入之设备，所述设备包括：离子源，其在多种模式下操作，其中第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式；RF电源；阴极；反射极；以及第一额外电极以提供较大电极面积，其中所述阴极、所述反射极以及所述第一额外电极连接至所述RF电源。